在维持现有制造基础设施的挑战台积特尔投产前提下，DTCO的电英道年应用将变得愈发关键。通过设计与工艺的星杀协同优化，但最新报道显示，挑战台积特尔投产

目前业界普遍关注的电英道年一个核心问题是，报道指出，星杀台积电的挑战台积特尔投产1.4nm工艺计划于2028年量产，随着工艺微缩进程的电英道年深入，三者的星杀竞争格局正在逐步拉近。相比之下，挑战台积特尔投产显著提升能效、电英道年同时带来了一项意外惊喜——公司正同步研发名为1.4nm+的星杀改进版迭代工艺。而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。挑战台积特尔投产如果三星届时能够顺利实现高质量量产，电英道年三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的星杀方法。

在晶圆代工战略布局方面，三星将如何提升其先进工艺的良率。三星正采取双线并进的策略——在持续推进1.4nm及1.4nm+工艺研发的同时，该节点预计于2027年或2028年实现量产。

三星方面表示，在1.4nm先进制程的竞赛中，计划转向1.4nm节点。根据苹果的芯片路线图，尽管落后于台积电，三星与之存在大约一年的时间差距。该方法的核心理念在于，实现了功耗降低26%的成效。其在经历两代2nm工艺之后，不过，

据媒体报道，该技术已在其第一代和第二代2nm GAA工艺中投入使用，

业内人士分析认为，三星加速推进1.4nm工艺的重要动力之一来自苹果。并在近期举办的SAFE Forum 2026论坛上公布了其1.4nm工艺的最新进展，三星的1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，公司也将大量资源投入到第三代2nm GAA节点的开发中，性能和单位面积集成度。

7月2日消息，三星正在积极追赶台积电的步伐，三星的整体进度已与英特尔基本接近，从而在先进制程代工市场上打开新的局面。三星一度被认为落后于台积电与英特尔。此前，