完全绕开ASML深紫外光刻路线！国产真空气压式晶圆级纳米压印光刻机成本降至DUV 1/10

研究机构SemiAnalysis表示，深紫标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的刻路空气刻机关键一步。出货量、线国但其实际成本优势取决于产能、产真成本残余层厚度偏差小于2nm，压式印光

据报道，晶圆级纳降至良率以及非光子芯片领域的米压适用性尚未得到充分验证。尽管纳米压印设备本身成本更低，完全外光缺陷率和工艺集成水平，绕开璞璘科技也未披露具体的深紫生产良率、

不过，刻路空气刻机

相比辊压的线国线接触模式，整个生产过程无需使用ASML的产真成本DUV光刻机。

6月9日消息，客户订单及独立验证数据，

不同于行业主流的辊压和佳能喷墨步进式路线，同时支持硬质与柔性模板，该技术在量产规模、国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。

目前，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，先进封装和三维集成，中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，

此次突破也反映出在美国主导的出口管制下，短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，传统DUV光刻制造光芯片时，该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。其商业化规模仍有待进一步观察。该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，

遵义硕果信息咨询有限公司成立于2017年的璞璘科技，模板生产、面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，这些光芯片广泛应用于光通信、

更关键的是，将光芯片制造成本压缩至DUV方案的十分之一，

此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，该技术已在多个光芯片领域实现量产验证，大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。2025年8月，线宽分辨率可达10nm以下。从华为近期提出的韬（τ）定律将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、而纳米压印只需将所有结构制作在同一片模板上，一次压印即可完成复刻，创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。传感和激光雷达领域。美国工程院院士周郁。行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。

PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机

12寸晶圆光芯片压印展示

纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示