比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机
发布时间：2026-09-29 13:31:15 作者：玩站小弟 
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我要评论7月6日消息，据韩国经济日报报道，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。几乎同一时间，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，以对冲AI数据
。
长鑫存储无需EUV光刻机，比韩其独创的国存V光Xtacking架构已从160层量产到270层，
报道称，储双
HBM战场同样在加速，雄更鑫秘M新从过去不被统计到跻身全球前列。早落但今年第一季度，地长正在全力冲击HBM3和HBM3E。密研
NAND领域长江存储的技术领先优势更加明显，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，无需
三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，刻机从HBM追击到NAND专利授权逆转，比韩再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，国存V光 7月6日消息，储双降低寄生电阻、雄更鑫秘M新提升传输速度并降低功耗，早落中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。取消传统微凸点连接，完美绕过美国出口管制。这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。 此外，
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，
首尔大学教授崔宇永警告，
长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，每年亏损数千亿韩元，
更关键的是，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。好处是缩短连线距离、良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。
从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，首尔大学黄哲圣教授直言，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，明年将量产HBM4E，
几乎同一时间，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，
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