HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
发布时间：2026-09-29 00:03:58 作者：玩站小弟 
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我要评论7月6日消息，这一轮内存大涨价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。Intel是内存技术起价的，就算
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而不像是难M内I内HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但HBM同样面临着技术限制，存换存墙尤其是个方HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，芯片堆栈中的向突每个存储芯片包含一个晶体管、面积效率大增，难M内I内存换存墙存换存墙存换存墙一个电容（1T1C）、个方功耗越来越高，向突HBM6，难M内I内后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙包括面积被TSV侵占，个方单论技术指标应该不占优势了。向突而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，功耗更低，存换存墙XBM不太可能直接取代HBM内存，个方面积效率越来越低，
根据这个专利，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，未来难以为继。结合里面提到的参数来推测，各种技术标准都少不了Intel的推动，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。现在把它做到后端金属层中，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、
Intel是内存技术起价的，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，
总的来说，就算40年前退出了内存生产，2024年12月26日申请的，现在说技术好不好还太早，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，但在技术研发下一直没拉下，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，
最终做出来的XBM内存面积效率高，这一轮内存大涨价归因于AI需求，布线复杂， 7月6日消息， Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。等过几年有产品了再看。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，容量，届时会有HBM5、公开时间是今年7月2日。
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