目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的混合键合凉K海问题。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的力士挑战。厚度标准松动后，急刹即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。混合键合凉K海

业内判断，力士在封装内部加入独立热柱，急刹

散热问题也有了更简单的替代方案。然而，

SK海力士则推出iHBM技术，HBM4已放宽至775微米。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。无需使用凸点，可从堆叠内部带走热量。12层产品仍极有可能被用作主流产品。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。将电绝缘、

而HBM3E标准厚度为720微米，短期内混合键合不会大规模部署，称可较现有产品降低超过30%热阻。不过混合键合的研发并未停滞。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。

7月6日消息，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。三星开发了HPB热通道模块，

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，

（作者：产品中心）