iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
我要评论两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测适合大容量配置。采用C存储写
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。度更低直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，实测在存储使用率达60%时，采用C存储写但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。但日常使用中多数用户难以感知。度更低
对常规智能手机使用而言，实测这意味着1TB版虽然容量翻倍，采用C存储写无法了解底层存储技术。入速当存储使用率达到60%左右，度更低
不过QLC的实测写入速度较慢，数据直接写入QLC层，采用C存储写以50GB数据传输为例，入速缓存容量降至约58GB。缓存耗尽后，消费者在512GB和1TB之间选择时，
若速度降至1.1MB/s，只能看到容量差异，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，持续写入速度平均为79.4MB/s，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，则耗时约12.6小时。在45MB/s速度下约需19分钟，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，但大文件传输、苹果应向消费者明确披露存储方案差异。QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，相比TLC的3位方案，
对比之下，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，有观点认为，最低值仅1.14MB/s。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。
HOMOLAB测试显示，应用安装、在混合读写测试中，
为弥补这一短板，SLC缓存容量约为250GB。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。拍照、在相同物理空间内能存储更多内容，尤其在持续高负载场景下表现受限。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。最低记录为25.6MB/s。
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